"記憶通脹"引發汽車產業生產中斷的擔憂 "記憶通脹"（記憶半導體和通脹的合成詞）現象——即上漲的記憶價格推高成品成本——其影響正從PC和智能手機市場轉向汽車產業。除了不斷增加的成本壓力外，還有對於如果汽車記憶體短缺加劇可能導致的生產中斷的擔憂。這一趨勢預計將對純電動車（EV）製造商的影響比傳統老牌汽車製造商更為顯著。 根據業界消息，來自中國電動車製造商NIO的首席執行官William Li在7日的最近一次會議上表示，"今年汽車產業面臨的最大成本壓力不是原材料，而是價格瘋狂上漲的記憶半導體。" 他補充道，"記憶價格的上漲可能會在整個年度對汽車施加巨大的上行成本壓力。" 根據巴克萊最近的一份汽車產業分析報告，主要用於汽車的DDR4 DRAM價格在1月份與去年同期相比激增了1,845%。 這一變化主要是由全球"三大"記憶體製造商——三星電子、SK海力士和美光——將其生產能力集中在高帶寬記憶體（HBM）和其他AI伺服器級芯片上所驅動。隨著生產集中於這些高價值半導體，價格相對較低的汽車記憶體供應正在急劇下降。歐洲投資銀行瑞銀預測，"汽車記憶體價格的激增和短缺將在第二季度開始真正加劇。" 市場動態與成本影響 汽車記憶體市場預計今年價值162.9億美元，佔總記憶體市場的不到5%。由於汽車記憶體價格低廉，但需要高安全標準和長開發週期，因此通常被視為半導體行業中的"低利潤"細分市場。 分析表明，汽車記憶體價格的飆升將對以特斯拉和Rivian為代表的電動車和自動駕駛公司造成更大的負擔，相較於內燃機（ICE）汽車製造商。半導體需求的差異非常明顯： - ICE汽車：約200顆芯片 - 電動汽車（EV）：約1,000顆芯片 - 自動駕駛汽車：約2,000顆以上芯片 巴克萊預測，在最糟糕的短缺情況下，高端電動汽車的DRAM成本可能會飆升500%，從每輛200美元漲至1,200美元。