SK Hynix 追求日本壟斷的極紫外光 (EUV) 光刻膠的本地化... 與 Dongjin Semichem 合作 SK Hynix 已經開始進行極紫外光 (EUV) 光刻膠 (PR) 的本地化，這是一個由日本主導的市場。這一舉措旨在加強對於關鍵先進半導體材料的供應鏈，同時提升半導體製造的競爭力。 根據業界消息，SK Hynix 已經開始與 Dongjin Semichem 合作開發高性能的 EUV PR。目標不僅是取代之前由日本公司如 JSR 和東京應化 (TOK) 供應的 EUV PR，還要開發出性能更優越的材料。 一位熟悉此事的官員表示：「他們需要能夠提供比日本產品更好性能的材料」，並補充道：「我了解到他們特別要求提高 PR 敏感度以提升生產力。」 SK Hynix 之前在 2023 年通過其子公司 SK Materials Performance 本地化了 EUV PR。然而，當時創造的產品被認為規格較低。對於用於關鍵半導體層的高性能 PR，該公司至今仍完全依賴日本。 PR 是在光刻過程中使用的材料。當光線照射（曝光）到晶圓上以印刷半導體微電路時，PR 是在晶圓表面對光反應的物質。EUV 是實現約 10 奈米 (nm) 超細電路的關鍵曝光技術，而荷蘭的 ASML 是全球唯一的 EUV 光刻設備供應商。 SK Hynix 正在推進 EUV PR 的開發，以最大化光刻設備的利用率，這些設備每台成本高達 2000 億韓元，並應對 DRAM 中對 EUV 層快速增長的需求。 根據半導體行業的說法，提高 PR 敏感度可以減少曝光時間。由於反應速度更快，可以在更短的時間內實現微電路。這意味著即使使用相同的設備，生產能力也可能因所用的 PR 而異。 此外，隨著 DRAM 中 EUV 工藝的增加，對 PR 開發的需求也在增長。每一代的 EUV 層數量為：10nm 級第 4 代 (1a) 一層，第 5 代 (1b) 三層，第 6 代 (1c) 五層，第 7 代 (1d) 七層。預計對於小於 10nm 的產品，這一數字將進一步增加。 材料開發需要相當長的時間，而 EUV PR 具有高進入門檻。難以預測 SK Hynix 與 Dongjin Semichem 之間的合作將產生什麼結果。自然地，如果商業化成功，這可能成為提升國內材料行業競爭力的機會。 一位 SK Hynix 官員表示：「我們無法透露具體的開發細節」，但補充道：「我們正在與包括材料製造商在內的多家公司持續合作，以提高生產力。」