SK Hynix busca localização do fotorresiste EUV monopolizado pelo Japão... Parcerias com a Dongjin Semichem A SK Hynix iniciou a localização do fotorresiste de Ultravioleta Extremo (EUV) (PR), um mercado dominado pelo Japão. Essa medida visa fortalecer a cadeia de suprimentos para materiais semicondutores avançados essenciais, ao mesmo tempo em que aumenta a competitividade na fabricação de semicondutores. Segundo fontes do setor, no dia 7, foi identificado que a SK Hynix começou a desenvolver relações públicas EUV de alto desempenho em cooperação com a Dongjin Semichem. O objetivo não é apenas substituir a PR EUV anteriormente fornecida por empresas japonesas como JSR e Tokyo Ohka Kogyo (TOK), mas também desenvolver materiais que ofereçam desempenho superior. Um funcionário familiarizado com o assunto afirmou: "Eles exigem materiais capazes de entregar melhor desempenho do que os produtos japoneses", acrescentando: "Entendo que solicitaram especificamente melhorias na sensibilidade de relações públicas para aumentar a produtividade." A SK Hynix já havia localizado a EUV PR em 2023 por meio de sua afiliada, SK Materials Performance. No entanto, o produto criado naquela época era conhecido por ser de especificação inferior. Para PR de alto desempenho usado em camadas críticas de semicondutores, a empresa tem confiado 100% no Japão até agora. PR é um material utilizado no processo de litografia. Quando a luz é irradiada (exposta) em uma pastilha para imprimir microcircuitos semicondutores, PR é a substância na superfície da pastilha que reage à luz. O EUV é uma tecnologia essencial de exposição para implementar circuitos ultrafinos em torno de 10 nanômetros (nm), e a ASML dos Países Baixos é o único fornecedor mundial de equipamentos de litografia EUV. A SK Hynix está impulsionando o desenvolvimento de PR EUV para maximizar a utilização de equipamentos de litografia, que custam até 200 bilhões de won por unidade, e para responder à demanda crescente por camadas EUV em DRAM. De acordo com a indústria de semicondutores, aumentar a sensibilidade à PR reduz o tempo de exposição. Como a velocidade de reação é mais rápida, é possível implementar microcircuitos em menos tempo. Isso significa que a capacidade de produção pode variar dependendo da PR utilizada, mesmo com o mesmo equipamento. Além disso, à medida que os processos EUV aumentam na DRAM, a necessidade de desenvolvimento de PR cresceu. O número de camadas EUV por geração é: uma para a 4ª geração da classe 10nm (1a), três para a 5ª geração (1b), cinco para a 6ª geração (1c) e sete para a 7ª geração (1d). Espera-se que aumente ainda mais para produtos abaixo de 10nm. O desenvolvimento de materiais leva um tempo considerável, e a PR EUV possui altas barreiras de entrada. É difícil prever quais resultados a colaboração entre SK Hynix e Dongjin Semichem trará em conjunto. Naturalmente, se a comercialização for bem-sucedida, pode servir como uma oportunidade para elevar a competitividade da indústria material doméstica ao próximo nível. Um funcionário da SK Hynix afirmou: "Não podemos divulgar detalhes específicos do desenvolvimento", mas acrescentou: "Estamos continuando a cooperação com várias empresas, incluindo fabricantes de materiais, para melhorar a produtividade."