SK Hynix busca localizar la fotorresistencia EUV monopolizada por Japón... Socios con Dongjin Semichem SK Hynix ha iniciado la localización del fotorresist por ultravioleta extremo (EUV), un mercado dominado por Japón. Esta medida pretende fortalecer la cadena de suministro de materiales semiconductores avanzados esenciales y, al mismo tiempo, mejorar la competitividad en la fabricación de semiconductores. Según fuentes del sector, el día 7 se ha identificado que SK Hynix ha comenzado a desarrollar relaciones públicas EUV de alto rendimiento en cooperación con Dongjin Semichem. El objetivo no es solo reemplazar la PR de la EUV que anteriormente suministraban empresas japonesas como JSR y Tokyo Ohka Kogyo (TOK), sino también desarrollar materiales que ofrezcan un rendimiento superior. Un funcionario familiarizado con el asunto declaró: "Requieren materiales capaces de ofrecer un mejor rendimiento que los productos japoneses", añadiendo: "Entiendo que solicitaron específicamente mejoras en la sensibilidad de relaciones públicas para aumentar la productividad." SK Hynix ya localizó EUV PR en 2023 a través de su filial, SK Materials Performance. Sin embargo, se sabía que el producto creado en ese momento era de especificación inferior. Para la PR de alto rendimiento utilizada en capas críticas de semiconductores, la empresa ha confiado al 100% en Japón hasta ahora. La PR es un material utilizado en el proceso de litografía. Cuando la luz se irradia (expone) sobre una oblea para imprimir microcircuitos semiconductores, la PR es la sustancia en la superficie de la oblea que reacciona a la luz. La EUV es una tecnología esencial de exposición para implementar circuitos ultrafinos de alrededor de 10 nanómetros (nm), y ASML de los Países Bajos es el único proveedor mundial de equipos de litografía EUV. SK Hynix está impulsando el desarrollo de relaciones públicas EUV para maximizar la utilización de equipos de litografía, que cuestan hasta 200.000 millones de won por unidad, y para responder a la demanda en rápido crecimiento de capas EUV en DRAM. Según la industria de semiconductores, aumentar la sensibilidad a la PR reduce el tiempo de exposición. Debido a que la velocidad de reacción es más rápida, es posible implementar microcircuitos en menos tiempo. Esto significa que la capacidad de producción puede variar según la PR utilizada, incluso con el mismo equipo. Además, a medida que aumentan los procesos EUV en DRAM, la necesidad de desarrollo de relaciones públicas ha crecido. El número de capas EUV por generación es: una para la clase 10nm de 4ª generación (1a), tres para la quinta generación (1b), cinco para la sexta generación (1c) y siete para la séptima generación (1d). Se espera que aumente aún más para productos por debajo de 10 nm. El desarrollo de materiales lleva una cantidad considerable de tiempo, y la PR EUV presenta altas barreras de entrada. Es difícil predecir qué resultados dará la colaboración entre SK Hynix y Dongjin Semichem. Naturalmente, si la comercialización tiene éxito, podría servir como una oportunidad para elevar la competitividad de la industria material nacional al siguiente nivel. Un funcionario de SK Hynix declaró: "No podemos revelar detalles específicos del desarrollo", pero añadió: "Seguimos cooperando con varias empresas, incluidos fabricantes de materiales, para mejorar la productividad."