SK海力士追求日本垄断的极紫外（EUV）光刻胶的本地化...与东进半导体化学合作 SK海力士已开始进行极紫外（EUV）光刻胶（PR）的本地化，这一市场由日本主导。此举旨在加强对先进半导体材料的供应链，同时提升半导体制造的竞争力。 根据行业消息，SK海力士已于7日开始与东进半导体化学合作开发高性能EUV PR。目标不仅是替代之前由日本公司如JSR和东京应化（TOK）供应的EUV PR，还要开发出性能更优越的材料。 一位熟悉此事的官员表示：“他们需要能够提供比日本产品更好性能的材料，”并补充道：“我了解到，他们特别要求提高PR的灵敏度以提升生产力。” SK海力士此前在2023年通过其子公司SK材料性能实现了EUV PR的本地化。然而，当时生产的产品被认为规格较低。对于用于关键半导体层的高性能PR，该公司至今100%依赖日本。 PR是光刻过程中使用的材料。当光照射（曝光）到晶圆上以印刷半导体微电路时，PR是晶圆表面对光反应的物质。EUV是实现约10纳米（nm）超细电路的关键曝光技术，荷兰的ASML是全球唯一的EUV光刻设备供应商。 SK海力士推动EUV PR的开发，以最大化光刻设备的利用率，单台设备成本高达2000亿韩元，并应对DRAM中对EUV层快速增长的需求。 根据半导体行业，增加PR灵敏度可以减少曝光时间。由于反应速度更快，可以在更短的时间内实现微电路。这意味着即使使用相同的设备，生产能力也可能因所用PR的不同而有所变化。 此外，随着DRAM中EUV工艺的增加，对PR开发的需求也在增长。每代EUV层的数量为：10nm级第4代（1a）一个，第5代（1b）三个，第6代（1c）五个，第7代（1d）七个。预计对于小于10nm的产品，这一数量还会进一步增加。 材料开发需要相当长的时间，EUV PR的进入壁垒也很高。很难预测SK海力士与东进半导体化学的合作将产生什么结果。自然，如果商业化成功，这可能为提升国内材料行业的竞争力提供机会。 SK海力士的一位官员表示：“我们无法透露具体的开发细节，”但补充道：“我们正在与包括材料制造商在内的多家公司继续合作，以提高生产力。”