SKハイニックス、日本独占EUVフォトレジストの現地化を追求...東進セミケムとのパートナー SKハイニックスは、日本が支配する市場である極紫外線(EUV)フォトレジスト(PR)の現地化に着手しました。この動きは、重要な先進半導体材料のサプライチェーンを強化すると同時に、半導体製造の競争力を高めることを目的としています。 業界関係者によると、7日時点でSKハイニックスが東進セミケムと協力して高性能EUV PRの開発を開始したことが判明しました。目標は、JSRや東京桜花工業(TOK)など日本企業が提供していたEUV PRを置き換えるだけでなく、優れた性能を実現する材料の開発です。 この件に詳しい関係者は「日本製品よりも優れた性能を発揮できる素材が必要だ」と述べ、「生産性向上のためにPR感度の向上を特に要望したと理解しています」と付け加えました。 SKハイニックスは2023年に関連会社のSKマテリアルパフォーマンスを通じてEUV PRのローカライズを行っています。しかし、当時作られた製品は規格が低いことが知られていました。重要な半導体層で使用される高性能PRに関しては、これまで日本に100%依存してきました。 PRはリソグラフィープロセスで使用される材料です。光をウェハーに照射(照射)して半導体マイクロ回路を刻印する場合、PRはウェハー表面に付着して光に反応する物質です。EUVは10ナノメートル(nm)までの超微細回路を実装するための不可欠な露光技術であり、オランダのASMLは世界唯一のEUVリソグラフィ装置の供給者です。 SKハイニックスは、1台あたり最大2,000億ウォンのコストがかかるリソグラフィー機器の活用を最大化し、DRAMにおけるEUV層の急増需要に対応するため、EUV PRの開発を推進しています。 半導体業界によると、PR感度が高まるほど露出時間が短くなります。反応速度が速いため、より短時間でマイクロ回路を実装することが可能です。つまり、使用されるPRによって生産能力は、同じ機器であっても変動する可能性があります。 また、DRAMにおけるEUVプロセスの増加に伴い、PR開発の必要性も高まっています。世代ごとのEUV層数は、10nmクラス第4世代が1層(1a)、第5世代が3層(1b)、第6世代が5層(1c)、第7世代が7層(1d)です。10nm未満の製品ではさらに増加すると予想されています。 材料開発にはかなりの時間がかかり、EUV PRは参入障壁が高いです。SKハイニックスと東進セミケムの協力がどのような成果をもたらすかは予測が難しい。もちろん、商業化が成功すれば、国内の資材産業の競争力を次のレベルに引き上げる機会となるでしょう。 SKハイニックスの関係者は「具体的な開発の詳細は公開できません」と述べましたが、「生産性向上のため、素材メーカーを含む様々な企業と協力を継続しています」と付け加えました。