SK Hynix persigue la localización del fotoresistente EUV monopolizado por Japón... Se asocia con Dongjin Semichem SK Hynix ha iniciado la localización del fotoresistente de ultravioleta extremo (EUV), un mercado dominado por Japón. Este movimiento tiene como objetivo fortalecer la cadena de suministro de materiales semiconductores avanzados esenciales, al mismo tiempo que mejora la competitividad en la fabricación de semiconductores. Según fuentes de la industria, el 7 de este mes, se ha identificado que SK Hynix ha comenzado a desarrollar un PR EUV de alto rendimiento en cooperación con Dongjin Semichem. El objetivo no es solo reemplazar el PR EUV suministrado anteriormente por empresas japonesas como JSR y Tokyo Ohka Kogyo (TOK), sino desarrollar materiales que ofrezcan un rendimiento superior. Un funcionario familiarizado con el asunto declaró: "Requieren materiales capaces de ofrecer un mejor rendimiento que los productos japoneses", añadiendo: "Entiendo que solicitaron específicamente mejoras en la sensibilidad del PR para aumentar la productividad." SK Hynix localizó anteriormente el PR EUV en 2023 a través de su filial, SK Materials Performance. Sin embargo, se conocía que el producto creado en ese momento tenía especificaciones inferiores. Para el PR de alto rendimiento utilizado en capas críticas de semiconductores, la empresa ha dependido al 100% de Japón hasta ahora. El PR es un material utilizado en el proceso de litografía. Cuando la luz se irradia (expuesta) sobre un wafer para imprimir microcircuitos semiconductores, el PR es la sustancia en la superficie del wafer que reacciona a la luz. El EUV es una tecnología de exposición esencial para implementar circuitos ultra-finos de alrededor de 10 nanómetros (nm), y ASML de los Países Bajos es el único proveedor mundial de equipos de litografía EUV. SK Hynix está impulsando el desarrollo del PR EUV para maximizar la utilización de equipos de litografía, que cuestan hasta 200 mil millones de won por unidad, y para responder a la creciente demanda de capas EUV en DRAM. Según la industria de semiconductores, aumentar la sensibilidad del PR reduce el tiempo de exposición. Debido a que la velocidad de reacción es más rápida, es posible implementar microcircuitos en menos tiempo. Esto significa que la capacidad de producción puede variar dependiendo del PR utilizado, incluso con el mismo equipo. Además, a medida que aumentan los procesos EUV en DRAM, ha crecido la necesidad de desarrollo de PR. El número de capas EUV por generación es: una para la clase de 10nm de 4ª generación (1a), tres para la 5ª generación (1b), cinco para la 6ª generación (1c) y siete para la 7ª generación (1d). Se espera que aumente aún más para productos de menos de 10nm. El desarrollo de materiales lleva un tiempo considerable, y el PR EUV tiene altas barreras de entrada. Es difícil predecir qué resultados dará la colaboración entre SK Hynix y Dongjin Semichem. Naturalmente, si la comercialización tiene éxito, podría servir como una oportunidad para elevar la competitividad de la industria de materiales nacional al siguiente nivel. Un funcionario de SK Hynix declaró: "No podemos divulgar detalles específicos del desarrollo", pero añadió: "Estamos continuando la cooperación con varias empresas, incluidos los fabricantes de materiales, para mejorar la productividad."