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Das ist riesig. Ein 1000× Sprung bei der Erkennung der versteckten Defekte, die Chips und Solarmaterialien beeinträchtigen.
"Forscher haben eine neue Träger-aufgelöste Foto-Hall-Effekt-Technik entwickelt, die elektronische Fangdefekte mit bis zu 1000× höherer Empfindlichkeit als traditionelle Methoden aufdeckt."
"Der Ansatz nutzt Magnetfelder, kontrollierte Lichtexposition und Temperaturschwankungen, um zu kartieren, wie Elektronen von gefangen zu frei beweglich übergehen, was eine präzise Extraktion der Fangdichte, Mobilität, Trägerlebensdauer und Diffusionslänge in einer einzigen Messung ermöglicht."
"Es wurde zuerst an Silizium und dann an Perowskiten getestet, die Methode deckte extrem kleine Mengen von Defekten auf, die Standardwerkzeuge nicht erkennen können."
„Moderne Chips und Solarmaterialien versagen oder schneiden schlecht ab, hauptsächlich wegen winziger elektronischer Fallen, die mit Standardwerkzeugen fast unmöglich zu erkennen sind. Ingenieure können endlich die Defekte sehen und quantifizieren, die die Effizienz, Zuverlässigkeit und langfristige Stabilität stillschweigend einschränken.“

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