El gran contraataque de Samsung Foundry... Taylor Fab en EE. UU. producirá en masa 50.000 obleas mensuales, duplicando el plan La división Foundry (fabricación por contrato de semiconductores) de Samsung Electronics está lanzando una gran contraofensiva en el mercado global de fundiciones, actualmente dominado por TSMC de Taiwán, mediante una inversión agresiva para introducir el avanzado proceso de 2 nanómetros (nm; 1nm = 1 mil millones de metro). Se ha confirmado que todos los procesos en la fundición actualmente en construcción en Taylor, Texas, se actualizarán de los 4nm originalmente previstos a 2nm, y el volumen inicial de producción en masa se ha incrementado a 50.000 obleas al mes, superando el doble de la estimación original. Esto se interpreta como un movimiento estratégico para asegurar la tecnología y capacidades de producción en masa equivalentes a TSMC en el proceso de 2nm, lo que determinará el liderazgo en el mercado global de fundiciones a partir del próximo año, y para anticiparse a la demanda "De-TSMC" de las grandes empresas tecnológicas estadounidenses. Según la industria de semiconductores, el Samsung Taylor Fab comenzará los preparativos operativos a gran escala comenzando con la primera incorporación de equipos en marzo del próximo marzo. Se informa que el plan es comenzar la primera entrada de obleas tan pronto como en el segundo trimestre del próximo año. La parte más notable es el "salto cuántico" en el proceso. Aunque se esperaba que el Taylor Fab introdujera primero el proceso de 4nm, donde asegurar el rendimiento inicial (la proporción de productos libres de defectos respecto a la producción total) es más sencillo, se informa que las órdenes de compra de equipos (PO) fueron revisadas recientemente para proceder basándose en estándares de 2nm. La escala de la producción en masa también es poco convencional. Mientras que la industria de semiconductores predijo que el volumen inicial de 2nm de la Taylor Fab sería de alrededor de 20.000 obleas al mes, se ha ampliado drásticamente hasta 50.000 obleas. Esta escala rivaliza con el volumen inicial de producción en masa de 2nm que TSMC planea en Taiwán. Aunque Samsung Electronics declinó confirmarlo, la industria percibe esto como una "elección estratégica para igualar la escala inicial de producción de chips de 2nm de TSMC." Un experto del sector analizó: "Es un movimiento estratégico invadir el volumen de las grandes tecnológicas centradas en TSMC realizando 'economías de escala' capaces de gestionar grandes volúmenes de clientes de una sola vez en EE. UU., yendo más allá de simplemente anticipar el proceso." El Taylor Fab está previsto para tener una capacidad de producción de 100.000 obleas al mes a partir de 2027, cuando comience en serio la producción de chips de 2nm. La razón por la que el Taylor Fab maximiza su capacidad de producción desde el inicio de sus operaciones se debe a los pedidos de chips de 2nm obtenidos de varias grandes empresas tecnológicas, incluida Tesla en Estados Unidos. Samsung Electronics y Tesla firmaron un contrato por valor de 16.500 millones de dólares (aprox. 23 billones de KRW) el pasado julio para el chip de conducción autónoma de próxima generación, 'AI6'. También ha recibido pedidos para el procesador de aplicaciones (AP) de próxima generación Exynos 2600 de la división System LSI de Samsung y ASICs de minería de MicroBT y Canaan en China. También se predice la posibilidad de obtener pedidos para el AP de próxima generación de Qualcomm. Sin embargo, dado que el campus de Samsung Electronics en Hwaseong es actualmente el único lugar equipado con instalaciones de 2nm, es esencial ampliar la producción en el Taylor Fab. El hecho de que Samsung Electronics introdujera el nuevo método Gate-All-Around (GAA) antes que otros en la generación anterior de 3nm también es positivo. La GAA es una tecnología que minimiza la fuga de corriente y mejora significativamente el rendimiento y la eficiencia energética en comparación con el diseño existente de FinFET.