Cuộc phản công lớn của Samsung Foundry... Nhà máy Taylor ở Mỹ sẽ sản xuất hàng loạt 50.000 wafer mỗi tháng, gấp đôi kế hoạch Bộ phận Foundry (sản xuất hợp đồng bán dẫn) của Samsung Electronics đang phát động một cuộc phản công lớn trên thị trường foundry toàn cầu, hiện đang bị chi phối bởi TSMC của Đài Loan, thông qua việc đầu tư mạnh mẽ để giới thiệu quy trình 2-nanomet (nm; 1nm = 1 phần tỷ mét) tiên tiến. Đã được xác nhận rằng tất cả các quy trình tại nhà máy foundry hiện đang được xây dựng ở Taylor, Texas, sẽ được nâng cấp từ quy trình 4nm ban đầu lên 2nm, và khối lượng sản xuất hàng loạt ban đầu đã được tăng lên 50.000 wafer mỗi tháng, vượt gấp đôi ước tính ban đầu. Điều này được hiểu là một động thái chiến lược để đảm bảo công nghệ và khả năng sản xuất hàng loạt tương đương với TSMC trong quy trình 2nm, điều sẽ xác định vị thế lãnh đạo trên thị trường foundry toàn cầu bắt đầu từ năm tới, và để tiên phong trong nhu cầu "De-TSMC" từ các công ty công nghệ lớn của Mỹ. Theo ngành công nghiệp bán dẫn vào ngày 29, nhà máy Samsung Taylor sẽ bắt đầu chuẩn bị hoạt động quy mô lớn bắt đầu với việc di chuyển thiết bị đầu tiên vào tháng Ba tới. Có thông tin cho rằng kế hoạch là bắt đầu đưa wafer đầu tiên vào sản xuất sớm nhất vào quý II năm sau. Phần đáng chú ý nhất là "bước nhảy vọt" trong quy trình. Trong khi người ta dự đoán rằng nhà máy Taylor sẽ lần đầu tiên giới thiệu quy trình 4nm, nơi việc đảm bảo năng suất ban đầu (tỷ lệ sản phẩm không bị lỗi so với tổng sản xuất) dễ hơn, có thông tin cho rằng các đơn đặt hàng mua thiết bị (PO) gần đây đã được điều chỉnh để tiến hành dựa trên tiêu chuẩn 2nm. Quy mô sản xuất hàng loạt cũng không theo quy chuẩn. Trong khi ngành công nghiệp bán dẫn dự đoán khối lượng 2nm ban đầu của nhà máy Taylor sẽ khoảng 20.000 wafer mỗi tháng, nó đã được mở rộng mạnh mẽ lên 50.000 wafer. Quy mô này cạnh tranh với khối lượng sản xuất hàng loạt 2nm ban đầu mà TSMC đang lên kế hoạch ở Đài Loan. Mặc dù Samsung Electronics từ chối xác nhận, ngành công nghiệp coi đây là "lựa chọn chiến lược để phù hợp với quy mô sản xuất chip 2nm ban đầu của TSMC." Một người trong ngành phân tích, "Đây là một động thái chiến lược để xâm nhập vào khối lượng công nghệ lớn tập trung vào TSMC bằng cách thực hiện 'kinh tế quy mô' có khả năng xử lý khối lượng khách hàng lớn cùng một lúc ở Mỹ, vượt ra ngoài việc chỉ tiên phong trong quy trình." Nhà máy Taylor dự kiến sẽ có công suất sản xuất 100.000 wafer mỗi tháng từ năm 2027, khi sản xuất chip 2nm bắt đầu thực sự. Lý do nhà máy Taylor tối đa hóa công suất sản xuất ngay từ đầu hoạt động là do các đơn đặt hàng chip 2nm đã được đảm bảo từ nhiều công ty công nghệ lớn, bao gồm Tesla ở Mỹ. Samsung Electronics và Tesla đã ký hợp đồng trị giá 16,5 tỷ USD (khoảng 23 triệu tỷ KRW) vào tháng Bảy năm ngoái cho chip lái xe tự động thế hệ tiếp theo, 'AI6'. Công ty cũng đã giành được đơn đặt hàng cho Bộ xử lý Ứng dụng (AP) thế hệ tiếp theo Exynos 2600 từ Bộ phận Hệ thống LSI của Samsung và ASIC khai thác từ MicroBT và Canaan của Trung Quốc. Khả năng giành được đơn đặt hàng cho AP thế hệ tiếp theo của Qualcomm cũng đang được dự đoán. Tuy nhiên, vì khuôn viên Hwaseong của Samsung Electronics hiện là nơi duy nhất được trang bị cơ sở vật chất 2nm, việc mở rộng sản xuất tại nhà máy Taylor là rất cần thiết. Thực tế rằng Samsung Electronics đã giới thiệu phương pháp Gate-All-Around (GAA) mới trước những người khác trong quy trình 3nm thế hệ trước cũng là một điểm tích cực. GAA là một công nghệ giúp giảm thiểu rò rỉ dòng điện và cải thiện đáng kể hiệu suất và hiệu quả năng lượng so với thiết kế FinFET hiện có.