サムスンファウンドリーの大規模な反撃...米国のテイラーファブが月間5万枚のウェハーを大量生産し、計画を倍増させる サムスン電子のファウンドリー(半導体受託製造)部門は、現在台湾のTSMCが支配しているグローバルファウンドリー市場で、最先端の2ナノメートル(nm; 1nm = 10億分の1メートル)プロセスの導入に向けた積極的な投資により大規模な反撃を開始しています。 現在テキサス州テイラーで建設中のファウンドリーファブのすべてのプロセスが、当初計画されていた4nmから2nmにアップグレードされ、初期の大量生産量は月間50,000枚に増加し、当初の見積もりの2倍を上回ることが確認されました。これは、来年から世界のファウンドリー市場でのリーダーシップを決定づける2nmプロセスにおけるTSMCに匹敵する技術と量産能力を確保する戦略的な動きと解釈され、米国の大手テック企業からの「脱TSMC」需要を先取りするものです。 半導体業界によると、29日にはサムスン・テイラーファブが本格的な稼働準備を開始し、来年3月の最初の設備入入を開始するとされています。報告によると、最初のウェハー投入は早ければ来年第2四半期から開始される予定です。最も注目すべきは、その過程における「量子飛躍」です。 テイラーファブは初期収縮(欠陥のない製品の比率)を確保するのが容易な4nmプロセスを最初に導入すると予想されていましたが、最近では機器の発注(PO)が2nm規格に基づく方向に修正されたと報告されています。大量生産の規模もまた型破りです。半導体業界はテイラーファブの初期2nmウェハー生産量を月約20,000ウェハーと予測していましたが、現在は大幅に50,000ウェハーに拡大されました。この規模は、台湾でTSMCが計画している初期の2nm量産量に匹敵します。 サムスン電子は確認を控えましたが、業界はこれを「TSMCの初期の2nmチップ生産規模に匹敵する戦略的選択」と捉えています。業界関係者は「これは、単にプロセスを先取りするだけでなく、米国で大量の顧客を同時に処理できる『規模の経済』を実現することで、TSMCに集中する大手テック企業に侵入する戦略的な動きだ」と分析しました。テイラーファブは2027年から月間10万枚の生産能力を持つ予定で、2nm半導体生産が本格化する予定です。 テイラーファブが稼働開始時から生産能力を最大化している理由は、米国のテスラを含む複数の大手テック企業から2nmチップの注文を獲得したためです。サムスン電子とテスラは昨年7月に次世代自動運転チップ「AI6」の契約を165億ドル(約23兆ウォン)締結しました。 また、サムスンのSystem LSI部門から次世代アプリケーションプロセッサ(AP)Exynos 2600の受注や、中国のMicroBTやCanaanからのASICマイニングも獲得しています。また、クアルコムの次世代APの受注獲得の可能性も予測されています。しかし、サムスン電子の華城キャンパスが現在唯一2nm設備を備えた場所であるため、テイラーファブでの生産拡大は不可欠です。 サムスン電子が前世代の3nmプロセスで他社より先に新しいゲート・オールアラウンド(GAA)方式を導入したことも好意的です。GAAは電流漏れを最小限に抑え、既存のFinFET設計と比べて性能と電力効率を大幅に向上させる技術です。