A Grande Contraofensiva da Samsung Foundry... Fábrica Taylor nos EUA para Produzir em Massa 50.000 Wafers Mensais, Doblando o Plano A divisão de Foundry (fabricação de semicondutores sob contrato) da Samsung Electronics está lançando uma grande contraofensiva no mercado global de foundry, atualmente dominado pela TSMC de Taiwan, através de investimentos agressivos para introduzir o processo de 2 nanômetros (nm; 1nm = 1 bilionésimo de metro). Foi confirmado que todos os processos na fábrica de foundry atualmente em construção em Taylor, Texas, serão atualizados do originalmente planejado 4nm para 2nm, e o volume inicial de produção em massa foi aumentado para 50.000 wafers por mês, superando o dobro da estimativa original. Isso é interpretado como um movimento estratégico para garantir tecnologia e capacidades de produção em massa equivalentes às da TSMC no processo de 2nm, que determinará a liderança no mercado global de foundry a partir do próximo ano, e para antecipar a demanda "De-TSMC" das grandes empresas de tecnologia dos EUA. De acordo com a indústria de semicondutores no dia 29, a Fábrica Taylor da Samsung começará os preparativos operacionais em grande escala a partir da primeira movimentação de equipamentos no próximo março. É relatado que o plano é iniciar a primeira entrada de wafers o mais cedo possível no segundo trimestre do próximo ano. A parte mais notável é o "salto quântico" no processo. Embora se esperasse que a Fábrica Taylor introduzisse primeiro o processo de 4nm, onde garantir o rendimento inicial (a proporção de produtos sem defeitos em relação à produção total) é mais fácil, foi relatado que os pedidos de compra de equipamentos (PO) foram recentemente revisados para prosseguir com base nos padrões de 2nm. A escala de produção em massa também é incomum. Enquanto a indústria de semicondutores previu que o volume inicial de 2nm da Fábrica Taylor seria em torno de 20.000 wafers por mês, ele foi drasticamente expandido para 50.000 wafers. Essa escala rivaliza com o volume inicial de produção em massa de 2nm que a TSMC está planejando em Taiwan. Embora a Samsung Electronics tenha se recusado a confirmar, a indústria percebe isso como uma "escolha estratégica para igualar a escala de produção inicial de chips de 2nm da TSMC." Um insider da indústria analisou: "É um movimento estratégico para invadir o volume das grandes tecnologias concentradas na TSMC, realizando 'economias de escala' capazes de lidar com grandes volumes de clientes de uma só vez nos EUA, indo além de simplesmente antecipar o processo." A Fábrica Taylor está programada para ter uma capacidade de produção de 100.000 wafers por mês a partir de 2027, quando a produção de chips de 2nm começar em sério. A razão pela qual a Fábrica Taylor está maximizando a capacidade de produção desde o início das operações é devido a pedidos de chips de 2nm garantidos de várias grandes empresas de tecnologia, incluindo a Tesla nos EUA. A Samsung Electronics e a Tesla assinaram um contrato no valor de $16,5 bilhões (aproximadamente 23 trilhões de KRW) em julho passado para o chip de condução autônoma de próxima geração, 'AI6'. Ela também conquistou pedidos para o próximo Processador de Aplicação (AP) Exynos 2600 da Divisão de LSI de Sistema da Samsung e ASICs de mineração da MicroBT e Canaan da China. A possibilidade de conquistar pedidos para o próximo AP da Qualcomm também está sendo prevista. No entanto, uma vez que o Campus Hwaseong da Samsung Electronics é atualmente o único lugar equipado com instalações de 2nm, expandir a produção na Fábrica Taylor é essencial. O fato de a Samsung Electronics ter introduzido o novo método Gate-All-Around (GAA) antes de outros no processo anterior de 3nm também é positivo. GAA é uma tecnologia que minimiza o vazamento de corrente e melhora significativamente o desempenho e a eficiência energética em comparação com o design existente FinFET.