Samsung Foundryn suuri vastahyökkäys... Taylor Fab Yhdysvalloissa valmistaa massatuotantoa 50 000 waferia kuukaudessa, mikä kaksinkertaistaa suunnitelman Samsung Electronicsin Foundry (puolijohdesopimusvalmistus) -divisioona käynnistää merkittävän vastahyökkäyksen globaalilla valimomarkkinalla, jota tällä hetkellä hallitsee Taiwanin TSMC, aggressiivisilla investoinneilla huippuluokan 2-nanometrin (nm; 1nm = 1 miljardisosa metristä) prosessin käyttöönottoon. On vahvistettu, että kaikki prosessit Taylorissa, Texasissa rakenteilla olevassa valimotehtaassa päivitetään alkuperäisestä 4 nm:stä 2nm:iin, ja alkuperäisen massatuotannon määrä on nostettu 50 000 waferiin kuukaudessa, mikä on kaksinkertainen alkuperäiseen arvioon verrattuna. Tätä tulkitaan strategiseksi toimenpiteeksi turvata teknologia ja massatuotantokyvyt, jotka vastaavat TSMC:tä 2nm-prosessissa, mikä määrittää johtajuuden globaalilla valimomarkkinalla ensi vuodesta alkaen, sekä ennakoimaan "De-TSMC"-kysyntää yhdysvaltalaisilta suurilta teknologiayrityksiltä. Puolijohdeteollisuuden mukaan 29. päivä Samsung Taylor Fab aloittaa täysimittaiset operatiiviset valmistelut ensi maaliskuussa ensimmäisestä laitesiirrosta. Raporttien mukaan suunnitelmana on aloittaa ensimmäisen waferin syöttö jo ensi vuoden toisella neljänneksellä. Merkittävin osa on prosessin "kvanttihyppy". Vaikka odotettiin, että Taylor Fab ottaisi ensin käyttöön 4nm prosessin, jossa alkuperäisen saannin (viattomien tuotteiden suhde kokonaistuotantoon) on helpompaa, on raportoitu, että laitehankintatilaukset (PO) on äskettäin tarkistettu etenemään 2nm-standardien mukaisesti. Massatuotannon mittakaava on myös epätavanomainen. Vaikka puolijohdeteollisuus ennusti Taylor Fabin alkuperäisen 2 nm volyymin olevan noin 20 000 waferia kuukaudessa, sitä on laajennettu merkittävästi 50 000 waferiin. Tämä mittakaava kilpailee TSMC:n Taiwanissa suunnitteleman alkuperäisen 2 nm massatuotannon kanssa. Vaikka Samsung Electronics kieltäytyi vahvistamasta asiaa, ala näkee tämän "strategisena valintana vastaamaan TSMC:n alkuperäistä 2nm-piirituotantoa." Alan sisäpiiriläinen analysoi: "On strateginen askel tunkeutua TSMC:hen keskittyvään suureen teknologiavolyymiin toteuttamalla 'mittakaavaetuja', jotka pystyvät käsittelemään suuria asiakasmääriä samanaikaisesti Yhdysvalloissa, mennään pidemmälle kuin pelkkä prosessin ennakoiminen." Taylor Fabin tuotantokapasiteetti on määrä olla 100 000 waferia kuukaudessa vuodesta 2027 alkaen, jolloin 2nm piirituotanto alkaa tosissaan. Syynä siihen, miksi Taylor Fab on maksimoinut tuotantokapasiteetin toiminnan alusta lähtien, on useiden suurten teknologiayritysten, mukaan lukien Teslan, 2nm sirutilauksia, jotka on saatu useilta suurilta teknologiayrityksiltä. Samsung Electronics ja Tesla allekirjoittivat viime heinäkuussa 16,5 miljardin dollarin (noin 23 biljoonaa KRW) arvoisen sopimuksen seuraavan sukupolven autonomisen ajosirun, 'AI6':n, parissa. Se on myös saanut tilauksia seuraavan sukupolven sovellusprosessorista (AP) Exynos 2600 Samsungin System LSI -divisioonalta sekä louhinta ASIC-prosessoreita Kiinan MicroBT:ltä ja Canaanilta. Myös mahdollisuutta voittaa tilauksia Qualcommin seuraavan sukupolven AP:lle ennustetaan. Koska Samsung Electronicsin Hwaseong-kampus on tällä hetkellä ainoa paikka, jossa on 2nm tilat, tuotannon laajentaminen Taylor Fabissa on välttämätöntä. Se, että Samsung Electronics esitteli uuden Gate-All-Around (GAA) -menetelmän edellä edellisen sukupolven 3nm-prosessissa, on myös positiivista. GAA on teknologia, joka minimoi virranvuodot ja parantaa merkittävästi suorituskykyä ja energiatehokkuutta verrattuna nykyiseen FinFET-suunnitteluun.