三星全力加速平澤P4 Ph4的完成……如果成功，將成為2026年唯一增加HBM產能的製造商 三星電子最近完成了第六代高帶寬記憶體（HBM4）的開發，並啟動了一項全面的計劃，旨在通過擴大DRAM生產能力來重新奪回「第一AI記憶體公司」的稱號。這一背景在於DS（設備解決方案）部門管理層的判斷，即公司必須提前確保壓倒性的生產能力，以滿足客戶需求，因為HBM客戶群已經從Nvidia擴展到包括Google、Broadcom和Amazon等其他大型科技公司。 根據半導體行業的消息，三星電子正在加速相關建設工作，將其平澤校園工廠4（P4）第四階段（Ph4，生產空間）的完成目標從原定的2027年第一季度提前至2026年第四季度。如果這一計劃得以實現，原定於明年九月進行的無塵室建設和第四季度的設備安裝的時間表，將提前至七月進行無塵室建設，隨後在第三季度進行設備安裝。 P4 Ph4是用於大規模生產10nm級第六代（D1c）DRAM晶片的設施，這些晶片是HBM4的核心材料。三星電子最初計劃將P4 Ph2和Ph4用於代工（合同製造）業務，但由於該業務的低迷，決定將Ph4重新用於HBM生產。 證券行業預測，如果P4 Ph4能夠提前完成，三星電子將成為三大HBM廠商中唯一在未來一年內擴大HBM生產能力的公司——三星電子、SK海力士和美光。對於SK海力士來說，這一年第四季度的清州M15X工廠完成與2027年上半年永仁集群第一工廠的運營之間存在顯著的時間差。與此同時，由於設備交付延遲和法規等問題，美光在日本廣島工廠和美國紐約工廠的完成仍面臨持續延遲。