三星全力加速平泽P4 Ph4的完成……如果成功，将成为2026年唯一增加HBM产能的制造商 三星电子最近完成了第六代高带宽内存（HBM4）的开发，现已启动全面计划，力争重新夺回“第一AI内存公司”的称号，重点扩大DRAM生产能力。背景在于设备解决方案（DS）部门管理层的判断，即公司必须提前确保压倒性的生产能力，以满足客户需求，因为HBM客户群体已从Nvidia扩展到包括谷歌、博通和亚马逊等其他大型科技公司。 根据半导体行业的消息，三星电子正在加快相关建设工作，将其平泽校园工厂4（P4）第4阶段（Ph4，生产空间）的完成目标从原定的2027年第一季度调整至2026年第四季度。如果该计划得以实现，原定于明年9月进行的洁净室建设和第四季度的设备安装的时间表，将提前至7月进行洁净室建设，第三季度进行设备安装。 P4 Ph4是用于大规模生产10nm级第六代（D1c）DRAM芯片的设施，这些芯片是HBM4的核心材料。三星电子最初计划将P4 Ph2和Ph4用于代工（合同制造）业务，但由于该业务的低迷，决定将Ph4重新用于HBM生产。 证券行业预测，如果P4 Ph4能够提前完成，三星电子将成为三大HBM参与者（三星电子、SK海力士和美光）中唯一在未来一年内扩大其HBM生产能力的公司。对于SK海力士来说，Cheongju M15X工厂在今年第四季度的完成与2027年上半年在龙仁集群的第一座工厂的运营之间存在显著的时间差。同时，由于设备交付延迟和法规等问题，美光在日本的广岛工厂和美国的纽约工厂的完成也面临持续延迟。