Samsung і SK Hynix скоротять, а не збільшать виробництво NAND Flash цього року... "Максимізація прибутку в період супербуму" Samsung Electronics та SK Hynix, які разом займають понад 60% світового ринку NAND флеш-пам'ять, очікується, що цього року скоротять виробництво NAND флеш-пам'ять. Оскільки конкуренція у штучному інтелекті (ШІ), що базується на основі інференцій, під керівництвом Nvidia, посилюється, обмежене постачання NAND флеш-пам'ять — ключового компонента — ймовірно, призведе до зростання цін у серверах, ПК, мобільних пристроях та інших секторах. Аналітики вважають, що це стане важливим позитивним фактором для покращення операційної маржі Samsung Electronics та SK Hynix на рівні з DRAM. Згідно з даними маркетингової дослідницької компанії Omdia, отриманими Chosun Biz 20 числа, Samsung Electronics трохи знизила виробництво пластин NAND з 4,9 мільйона пластин минулого року до 4,68 мільйона цього року. Це ще одне скорочення порівняно з скороченнями виробництва, впровадженими минулого року через різке падіння прибутковості NAND у 2024 році. Прогнозується, що SK Hynix також піде подібним шляхом, скоротивши виробництво NAND з приблизно 1,9 мільйона пластин минулого року до 1,7 мільйона цього року. Враховуючи, що цього року на ринку NAND спостерігається сильний попит на ШІ, коригування пропозиції провідних постачальників — Samsung Electronics та SK Hynix — дуже ймовірно посилять дефіцит не лише серверів ШІ, а й мобільних пристроїв і ПК. За даними Citigroup, наступне покоління AI-акселератора Nvidia «Vera Rubin», який заплановано на масове виробництво у другій половині цього року, матиме твердотільні накопичувачі (SSD) з ємністю 1 152 терабайти (ТБ) — більш ніж у 10 разів більше, ніж у поточного продукту «Blackwell». З огляду на те, що поставки Vera Rubin прогнозуються на рівні 30 000 одиниць цього року та 100 000 одиниць наступного року, це означає новий попит у 34,6 мільйона ТБ у 2026 році та 115,2 мільйона ТБ у 2027 році. Зниження виробництва NAND компанією Samsung Electronics та SK Hynix значною мірою пояснюється нижчим пріоритетом інвестицій для об'єктів NAND порівняно з DRAM, яка наразі демонструє найвищу прибутковість. Крім того, зі зростанням попиту на SSD з великою ємністю в дата-центрах ШІ, перехід на технологію чотирирівневих комірок (QLC) неминуче призводить до природних втрат у виробництві. Перехід від існуючої технології трирівневих комірок (TLC) до QLC, яка краще підходить для дата-центрів на базі ШІ, включає різні фактори, такі як налаштування об'єкта, періоди стабілізації та початкові показники продуктивності. Керівництво Samsung Electronics та SK Hynix, за повідомленнями, не бачить причин активно збільшувати виробництво NAND. Протягом багатьох років NAND страждала від низької прибутковості, що змушувало обидві компанії зосереджуватися на захисті цін. Тепер, у цьому циклі супер-буму пам'яті, вони прагнуть максимально максимізувати прибутки. Інсайдер індустрії прокоментував: «Чи є скорочення виробництва NAND Samsung Electronics та SK Hynix навмисними чи природними, вигоди від скорочення постачання будуть найбільшими цього року.» Деякі аналітики припускають, що ці кроки також є відповіддю на зростаючу пропозицію товарного NAND з Китаю. На відміну від Samsung і SK Hynix, китайська YMTC збільшує свою присутність і випуск на ринку NAND з минулого року. Це інтерпретується як стратегія протидії низькоціновій конкуренції з Китаю, зменшуючи пропозицію в мобільних та ПК сегментах для захисту прибутковості, одночасно збільшуючи обсяги серверів і підприємств з вищою маржею для управління асортиментом продуктів. Великі дослідницькі компанії прогнозують сильний тренд зростання цін на NAND, починаючи з першого кварталу, та уважно стежать за дисципліною виробництва ключовими постачальниками. TrendForce прогнозує, що ціни на флеш-контракти NAND зростуть на 33–38% у першому кварталі, зазначаючи, що Samsung Electronics і SK Hynix зберігають консервативну позицію у виробництві. IDC також очікує, що зростання пропозиції NAND цього року становитиме близько 17% — нижче середнього показника за останні роки. $SNDK