Samsung satser alt på å akselerere ferdigstillelsen av Pyeongtaek P4 Ph4... Hvis det lykkes, vil det være den eneste produsenten som øker HBM-kapasiteten i 2026 Samsung Electronics, som nylig har fullført utviklingen av sin 6. generasjons High Bandwidth Memory (HBM4), har lansert et fullskala initiativ for å gjenerobre tittelen som "Nr. 1 AI-minneselskap" ved å fokusere innsatsen på å utvide DRAM-produksjonskapasiteten. Bakgrunnen ligger i ledelsen i DS (Device Solutions)-divisjonens vurdering om at selskapet må sikre overveldende produksjonskapasitet på forhånd for å møte kundebehovet, ettersom HBM-kundebasen utvides utover Nvidia til å inkludere andre store teknologiselskaper som Google, Broadcom og Amazon. Ifølge halvlederindustrien akselererer Samsung Electronics den 7. byggearbeidet for å justere ferdigstillelsesmålet for fase 4 (Ph4, produksjonsplass) av sin Pyeongtaek Campus Plant 4 (P4) fra opprinnelig planlagt første kvartal 2027 til fjerde kvartal 2026. Hvis denne planen blir realisert, kan tidsplanen—opprinnelig satt til renromsbygging i september neste år, etterfulgt av utstyrsinstallasjon i fjerde kvartal—fremskyndes til renromsbygging i juli, etterfulgt av utstyrsinstallasjon i tredje kvartal. P4 Ph4 er anlegget ment for masseproduksjon av 10nm-klasse 6. generasjons (D1c) DRAM-brikker, som er kjernematerialene for HBM4. Samsung Electronics hadde opprinnelig planlagt å tildele P4 Ph2 og Ph4 til støperidrift (kontraktsproduksjon), men på grunn av nedgangen i denne virksomheten bestemte de seg for å ombruke Ph4 til HBM-produksjon. Verdipapirbransjen spår at dersom P4 Ph4 blir ferdigstilt tidlig, vil Samsung Electronics bli det eneste selskapet blant de tre store HBM-aktørene—Samsung Electronics, SK Hynix og Micron—som utvider sin HBM-produksjonskapasitet i løpet av det kommende året. For SK Hynix er det et betydelig tidsgap mellom ferdigstillelsen av Cheongju M15X-fabrikken i fjerde kvartal i år og driften av den første fabrikken i Yongin-klyngen i første halvår 2027. Samtidig står Micron overfor vedvarende forsinkelser i ferdigstillelsen av Hiroshima-fabrikken i Japan og New York-fabrikken i USA på grunn av problemer som forsinkelser i utstyrsleveranser og reguleringer.

SK Hynix satser på lokalisering av japansk-monopolisert EUV-fotoresist... Samarbeider med Dongjin Semichem SK Hynix har startet lokalisering av ekstrem ultrafiolett (EUV) fotoresist (PR), et marked dominert av Japan. Dette tiltaket har som mål å styrke forsyningskjeden for essensielle avanserte halvledermaterialer samtidig som konkurranseevnen innen halvlederproduksjon styrkes. Ifølge industrikilder den 7. har det blitt identifisert at SK Hynix har begynt å utvikle høyytelses EUV PR i samarbeid med Dongjin Semichem. Målet er ikke bare å erstatte EUV PR som tidligere ble levert av japanske selskaper som JSR og Tokyo Ohka Kogyo (TOK), men å utvikle materialer som gir overlegen ytelse. En tjenestemann med kjennskap til saken uttalte: «De trenger materialer som kan levere bedre ytelse enn japanske produkter,» og la til: «Jeg forstår at de spesifikt ba om forbedringer i PR-sensitivitet for å øke produktiviteten.» SK Hynix lokaliserte tidligere EUV PR i 2023 gjennom sitt tilknyttede selskap, SK Materials Performance. Produktet som ble laget på den tiden var imidlertid kjent for å ha lavere spesifikasjon. For høyytelses PR brukt i kritiske halvlederlag har selskapet til nå vært 100 % avhengig av Japan. PR er et materiale som brukes i litografiprosessen. Når lys bestråles (eksponeres) på en skive for å prege halvledermikrokretser, er PR stoffet på skivens overflate som reagerer på lyset. EUV er en essensiell eksponeringsteknologi for implementering av ultrafine kretser rundt 10 nanometer (nm), og ASML i Nederland er verdens eneste leverandør av EUV-litografiutstyr. SK Hynix jobber for utvikling av EUV PR for å maksimere utnyttelsen av litografiutstyr, som koster opptil 200 milliarder won per enhet, og for å møte den raskt økende etterspørselen etter EUV-lag i DRAM. Ifølge halvlederindustrien reduserer økt PR-sensitivitet eksponeringstiden. Fordi reaksjonshastigheten er raskere, er det mulig å implementere mikrokretser på kortere tid. Dette betyr at produksjonskapasiteten kan variere avhengig av hvilken PR som brukes, selv med samme utstyr. I tillegg, ettersom EUV-prosesser øker i DRAM, har behovet for PR-utvikling økt. Antallet EUV-lag per generasjon er: ett for 10nm-klassen 4. generasjon (1a), tre for 5. generasjon (1b), fem for 6. generasjon (1c), og syv for 7. generasjon (1d). Det forventes å øke ytterligere for produkter under 10 nm. Materialutvikling tar betydelig tid, og EUV PR har høye inngangsbarrierer. Det er vanskelig å forutsi hvilke resultater samarbeidet mellom SK Hynix og Dongjin Semichem vil gi. Naturligvis, hvis kommersialiseringen lykkes, kan det fungere som en mulighet til å løfte konkurranseevnen til den innenlandske materialindustrien til neste nivå. En tjenestemann i SK Hynix uttalte: «Vi kan ikke offentliggjøre spesifikke utviklingsdetaljer», men la til: «Vi fortsetter samarbeidet med ulike selskaper, inkludert materialprodusenter, for å forbedre produktiviteten.»

President Trump ble nettopp tildelt den aller første FIFA fredsprisen under VM-trekningen i Washington, D.C. i 2026.