Hôm nay chúng ta kỷ niệm Leo Esaki, vào ngày sinh nhật thứ 101 của ông. Ông sinh ra vào ngày này năm 1925 tại Osaka, Nhật Bản. Trong khi làm việc tại phòng thí nghiệm nghiên cứu của Tập đoàn Sony ở Nhật Bản, Esaki đã sử dụng một số thí nghiệm đơn giản nhưng lừa dối để chứng minh sự tồn tại của một loại hiện tượng hầm mới trong một chất bán dẫn. Phát hiện của ông cũng cho thấy rằng hiệu ứng này có thể được sử dụng về mặt kỹ thuật trong các điốt hầm được gọi là. Phát hiện của Esaki đã mở ra một lĩnh vực nghiên cứu mới và khởi xướng các phát triển thành công và mạnh mẽ tại nhiều phòng thí nghiệm nghiên cứu quốc tế. Esaki đã được trao Giải Nobel Vật lý năm 1973 cùng với Ivar Giaever vì những phát hiện thực nghiệm của họ liên quan đến các hiện tượng hầm trong các chất bán dẫn và siêu dẫn, tương ứng. Xem cuộc phỏng vấn của chúng tôi năm 2004: