Oggi ho simulato per tutta la notte il prossimo chip GPU di nuova generazione di NVIDIA, Feynman, previsto per il 16 marzo, e ho analizzato le vere intenzioni di NVIDIA, riassumendo un rapporto per i dirigenti. Rapporto approfondito: "La trasformazione definitiva della potenza di calcolo AI - Trasferimento del paradigma 'luce, memoria, calcolo' sotto l'architettura Feynman" Data di pubblicazione: 1 marzo 2026 Obiettivi principali: $NVIDIA, $SK Hynix, #Samsung, $TSM Taiwan Semiconductor, $AVGO Broadcom, #中际旭创, #新易盛 Tema di investimento: Dalla "scheda esterna" al "packaging a livello di sistema (SiP)" come attacco dimensionale Sommario del rapporto: Tre dimensioni che rompono i limiti fisici Nel contesto della conferenza GTC 2026, NVIDIA ha ufficialmente stabilito il percorso evolutivo da Rubin (2026) a Feynman (2028). La sua intenzione strategica centrale è già molto chiara: attraverso la tecnologia di impilamento 3D (SoIC) e la fotonica silicio (CPO), forzare i profitti appartenenti alla catena di approvvigionamento (memoria, rete) a "essere assorbiti" all'interno del packaging GPU, realizzando una transizione da fornitore di chip a "appaltatore di sistemi full-stack". 1. Percorso evolutivo delle GPU NVIDIA: da "miniaturizzazione" a "impilamento spaziale" L'evoluzione dell'architettura di NVIDIA è entrata nel gioco fisico dell'"era post-Moore": Blackwell (2025): L'ultima generazione di packaging 2.5D, principale adattamento per moduli ottici pluggabili da 1.6T. Rubin (2026): L'anno dell'HBM4. Introduzione del processo avanzato a 3nm, prima integrazione logica sul Base Die (base). Feynman (2028): Forma finale. Utilizza il processo A16 di TSMC (1.6nm) e alimentazione posteriore (BSPDN). Innovazione centrale: Impilare verticalmente SRAM (LPU Dies) sopra la GPU. Cambiamento di ruolo: La GPU non è più solo un'unità di calcolo, ma un sistema indipendente con "autostrada (CPO)" e "serbatoio enorme (3D SRAM)". 2. Percorso evolutivo della memoria (HBM & SRAM): da "esterno" a "simbiotico" 1. Evoluzione tecnologica e cambiamento di ruolo HBM4 (2026/2027): Larghezza di banda dell'interfaccia raddoppiata da 1024-bit a 2048-bit. Il cambiamento più critico è il trasferimento di potere del Base Die (base logica). I produttori di memoria (SK Hynix/Samsung) devono essere profondamente legati a $TSM Taiwan Semiconductor, producendo basi logiche a livello di 5nm. 3D SRAM (2028): L'architettura Feynman introduce LPU Dies. Questo livello di cache ad alta larghezza di banda (80-100 TB/s) gestirà il 70% dello scambio di dati di calcolo in tempo reale, portando HBM a degradarsi da "memoria ad accesso frequente" a "serbatoio di alta capacità". 2. Calcolo della domanda e offerta: buco nero di livello EB con crescita del 40% delle GPU Secondo un tasso di crescita composto del 40% delle GPU, sommato al raddoppio della capacità HBM per scheda (192G \rightarrow 288G \rightarrow 576G): Domanda 2026: 3.63EB, offerta 2.8EB, gap 22.9% ...