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我曾在粒子加速器的超导射频腔体上工作,并强烈考虑过研究被称为“相干光源”的研究生课程,也就是X射线激光。
它们的工作原理是这样的,它们是芯片生产的未来。太酷了。

2025年10月28日
Substrate 正在建设下一代铸造厂,以使美国在半导体生产中恢复主导地位。为此,我们将使用我们的技术——一种新型的先进 X 射线光刻技术——来推动它们。
美国发明了半导体。我们将再次引领。
首先,为什么选择X射线激光?你可以用光看到的物体大小,或者用光制作的图案(如在芯片光刻中)取决于波长。
这被称为衍射极限,限制了显微镜和望远镜等设备的分辨率。

但是,显微镜和望远镜观察的是不相干光,这意味着不同相位的波长都是混在一起的。
如果你将波的峰值对齐,就会得到相干光,这让你能够看到比所用波长更小的东西。

当两束相干光相互干涉时,波峰位置的微小差异会产生一个干涉图样,其间距小于波长本身。
一个机械类比是使用游标卡尺来测量远小于刻度的距离。


当前的EUV芯片光刻使用波长约为1e-6m的CO2激光,激光照射到锡滴上。锡被加热形成等离子体,数以吨计的电子被推向激发态。
当它们回落时,会释放出与能量差成正比的光。

锡是这种情况的“理想材料”,因为在 13.5 纳米波长附近有高密度的电子态聚集。
“真正的”激光通常只激发一个目标态,以获得窄的“线宽”或单一波长,但通过碰撞等因素,这个线宽可能会变宽。

芯片上最小的特征尺寸受到这些因素的限制——光的波长、发射光谱的窄或宽等。
那么,为什么我们不去寻找更高能量的原子跃迁,以获得更小的波长,并制造一个X射线激光器呢?

问题在于,与跃迁相关的能量取决于电子与原子核的结合紧密程度,因此高能跃迁意味着原子核中有大量质子,而电子则"深"藏在轨道堆中。
这很难通过光学泵浦来实现,并维持稳定的人口反转。这意味着需要剥离大量的电子云以"深入挖掘",这基本上意味着形成等离子体。
这正是激光锡液滴烧蚀所做的——形成短暂的等离子体以访问深层电子跃迁,从而获得高能光。


那么我们如何制造X射线激光?我们说 - 完全忘记电子跃迁。
我们将直接使用电子,加速它们在粒子束中,然后用磁场猛烈摇动它们。
这就是事情变得有趣的地方。

加速电子束意味着产生极高强度的电场,以赋予它们大量能量。
如果是恒定电场,最终会导致电放电、粒子发射——它会随着时间的推移而破裂。
如果是交变电场,时间平均电场为零。但是,交变电场会产生变化的磁场,从而诱导瞬态电流。


瞬态电流通常会在周围导体表面损失大量能量,这就是现代粒子加速器腔体采用一种称为铌的超导材料的原因。
超导射频腔体是一项极为成熟的技术——在CERN等地方。

一个问题是,由于电场是交流的,半数时间它指向相反的方向。
因此,你将粒子聚集在一起,使它们“错过”减速场,只看到加速场。


一个有趣的旁注是,电子的质量仅为511 keV/c^2,这意味着如果你用1兆伏的电场加速它,那么它的总能量一半是动能,另一半是质量(E=mc^2)。
这意味着它已经达到了光速的94%。这很重要...

因为这意味着你可以将长段的SRF腔体叠加在一起,并且它们可以同步工作。SRF腔体可以达到30兆伏/米,而X射线设施则将它们排成一英里
斯坦福的LCLS-2的电子能量为4 GeV

在这些相对论速度下,你可以将粒子束的能量提高1000倍,而其实际速度仅变化超过1%——是的,相对论很奇怪。
这很重要的原因在于,当电子在磁铁之间摇摆时,X射线是如何产生的。

当你将电子通过磁场时,它会感受到洛伦兹力并改变方向——这种加速度使它发出一些光子。
在“自由电子激光器”中,你将电子通过一系列交替的磁铁,使它们摇摆出光子。

由于电子的速度接近光速(~1c),它们以与发射的光子相同的速度运动。
这些光子的电场与电子相互作用,使电子束的间距从毫米缩小到纳米。

这就是自由电子激光如何实现“自我放大”的方式——当电子束中的光子场使电子聚集得更紧密时,发射的新光子会越来越靠近叠加在一起。

在FEL结束时,您将电子束偏转开来,留下一个高功率、极小波长的激光,可以成像单个原子/分子。
或者,制造历史上最小的芯片特征!

附注:一种与长达一英里 SRF 腔体束流线竞争的新方法是使用等离子体作为加速介质,这可以实现比 SRF 腔体高出 1000 倍的电场(SRF 腔体受到击穿和其他效应的限制)。
缺点是电子束亮度较低,但您可以将多个波场等离子体加速器“堆叠”在一起,以便将越来越多的电子束注入到您的波动器中。

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