Jakso 2: Oivalluksia IEDM 2025:stä @vikramskr tiivistää mielenkiintoisia aiheita IEDM:stä: - Penta-tason NAND-flash-muisti voi mullistaa SSD-markkinoita - GaN-on-Silicon -piirit parantavat energiatehokkuutta - Rengasoskillaattorit komplementaarisilla FET:illä - Optisessa skaalauksessa on teho-ongelma - Transistorien tulevaisuus on yhä valoisa Bonus: NAND- ja CFET-perusteet selitetään myös tässä jaksossa. Luvut Johdanto IEDM-konferenssiin (00:00) IEDM:n merkitys insinööreille ja sijoittajille (02:38) Verkostoituminen ja oivallukset IEDM:ssä (04:21) Piifotoniikka energiatehokkaaseen tekoälyyn (07:06) Edistysaskeleet täydentävissä FET:issä (13:34) Transistoriinnovaatioiden tulevaisuus (21:42) NAND-flash-muistin ymmärtäminen ja sen häiriöpotentiaali (22:45) Innovatiivinen monipaikkasoluteknologia (28:08) SSD-levyjen ja datatiheyden tulevaisuus (32:42) Intelin GaN piisiruilla (34:55) Monoliittinen heterogeeninen integraatio RF-teknologiassa (40:51) @vikramskr @theaustinlyons @ieee_iedm $NVDA $INTC $TSM $SNDK $MU $WDC $AMAT $LRCX